Session WE1E: High-Power GaN Devices

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2005. Pub Date : 2005-06-17 DOI:10.1109/MTT67880.2005.9387798

A. Platzker, J. Heaton

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Abstract

New state of the art power and efficiency results are documented for high power GaN HFETs in this session. New passivation schemes and dynamic gate bias technique are described, together with an experimental dispersion investigation and very high temperature operation.

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会议WE1E:大功率GaN器件

本次会议记录了高功率GaN hfet的最新功率和效率结果。描述了新的钝化方案和动态栅极偏置技术，以及实验色散研究和高温操作。

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来源期刊

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2005.

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