RF Plasma Annealing Effects at the Wet Oxidized Si/SiO2 Interface

Abstract

Radio frequency (rf) O2-plasma treatments produce markedly annealing effects on wet oxidized Si/SiO2-interfaces being more pronounced at higher substrate temperatures (300°C). This effect may be understood by plasma generated hydrogen in the oxide layer. Sauerstoff-Hochfrequenzplasmabehandlungen erzeugen bei einem durch feuchte Oxidation hergestellten Si/SiO2-System ausgesprochene Ausheileffekte bei hoheren Substrat-Temperaturen (300°C). Diese Wirkung kann verstanden werden, wenn man eine Wasserstofffreisetzung im Oxid durch das Plasma annimmt.