Logiciel Hikad : modéliser l'organisation atomique durant la croissance de HfO sur silicium

Abstract

Nous decrivons ici la mise en œuvre d'une strategie de modelisation multi-niveaux pour la simulation a l'echelle atomique des procedes en Micro et Nano-technologies. Cette strategie multi-niveaux combine des calculs quantiques de type fonctionnelle de la densite electronique DFT ( Density Functional Theory ) avec de la simulation mesoscopique au travers d'une technique de « Monte Carlo cinetique ». Nous nous attachons plus particulierement a detailler les etapes de construction d'un modele de type « Monte Carlo cinetique » base sur reseau et d'en souligner le caractere general pour la simulation procede : – gestion d'un espace decrit par un reseau de sites ; – ecriture des configurations ; – liste des mecanismes elementaires ; – gestion du temps d'experience. Ces elements generaux sont systematiquement etayes par un exemple d'application sur la croissance des oxydes de grille pour la microelectronique « ultime » : la croissance par couche atomique ( ALD  : Atomic Layer Deposition ) de l'oxyde d'Hafnium sur silicium.