Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе

В.А. Кукушкин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А М Горбачев, Д.Б. Радищев, Е. А. Архипова, М. Н. Дроздов, Ю.В. Кукушкин, Владимир Александрович Исаев, Сергей Александрович Богданов
{"title":"Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе","authors":"В.А. Кукушкин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А М Горбачев, Д.Б. Радищев, Е. А. Архипова, М. Н. Дроздов, Ю.В. Кукушкин, Владимир Александрович Исаев, Сергей Александрович Богданов","doi":"10.21883/ftp.2023.04.55895.10k","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Экспериментальные температурные зависимости сопротивлений, близких к порогу фазового перехода в состояние с металлической проводимостью тонких (1-3 нм) сильно легированных бором delta-слоев в химически осажденном из газовой фазы алмазе в широком диапазоне температур от ~100 до ~500 K, можно описать двумерным законом Мотта (\"перескоки\" дырок между локализованными состояниями с зависящей от температуры средней длиной \"прыжка\") в области низких температур и законом Аррениуса (\"перескоки\" дырок между ближайшими локализованными состояниями) в области высоких температур. Переход между ними происходит при 230-300 K. Потенциалы локализованных состояний дырок --- дальнодействующие, например кулоновские, а статические диэлектрические проницаемости delta-слоев в несколько раз больше, чем у нелегированного химически осажденного из газовой фазы алмаза. Ключевые слова: CVD-алмаз, закон Аррениуса, закон Мотта, легированные delta-слои, \"прыжковая\" проводимость, фазовый переход изолятор-металл.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"36 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2023.04.55895.10k","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

Экспериментальные температурные зависимости сопротивлений, близких к порогу фазового перехода в состояние с металлической проводимостью тонких (1-3 нм) сильно легированных бором delta-слоев в химически осажденном из газовой фазы алмазе в широком диапазоне температур от ~100 до ~500 K, можно описать двумерным законом Мотта ("перескоки" дырок между локализованными состояниями с зависящей от температуры средней длиной "прыжка") в области низких температур и законом Аррениуса ("перескоки" дырок между ближайшими локализованными состояниями) в области высоких температур. Переход между ними происходит при 230-300 K. Потенциалы локализованных состояний дырок --- дальнодействующие, например кулоновские, а статические диэлектрические проницаемости delta-слоев в несколько раз больше, чем у нелегированного химически осажденного из газовой фазы алмаза. Ключевые слова: CVD-алмаз, закон Аррениуса, закон Мотта, легированные delta-слои, "прыжковая" проводимость, фазовый переход изолятор-металл.
莫特和阿勒尼乌斯定律在人造钻石中的高合金delta层电阻条件下的变化
接近相位转移阈值的实验温度依赖,金属导电性为薄薄的(1-3纳米),高合金合金delta层,化学包围的钻石气体阶段从~100到~500 K,可以用莫特的二维定律(“跳跃”)来描述低温区域内的局部状态(“跳跃”)和高温区域内的局部状态(“跳跃”)之间的空隙。它们之间的过渡发生在230-300 K之间。局部孔态的潜力——例如库洛纳斯基,三角洲静电渗透率是非法化学包围钻石阶段的数倍。关键词:CVD钻石,arrenius定律,mott定律,合金delta层,跳导电性,相转移绝缘体金属。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信