Current Transport in Al/InAlAs/InGaAs Heterostructures

Abstract

The current transport across Al/InAlAs/InGaAs heterostructures is considered. A simplified formulation of the thermionic field equations are derived and applied to the experimental data obtained. The simplified formulation of the current transport is readily applied to simple Schottky diodes and the more complex heterostructure studied in the present work. Using the theory developed here, current-voltage measurements are used to extract interface barriers in the heterostructure. Es wird der Stromtransport in Al/InAlAs/InGaAs-Heterostrukturen untersucht. Eine vereinfachte Formulierung der thermionischen Feldgleichungen wird abgeleitet und auf die erhaltenen experimentellen Werte angewendet. Die vereinfachte Formulierung des Stromtransports last sich leicht auf einfache Schottky-Dioden und auf komplexere Heterostrukturen anwenden, die in der Arbeit untersucht werden. Mit der entwickelten Theorie werden Strom-Spannungs-Messungen zur Ermittlung der Grenzflachenbarrieren in der Heterostruktur benutzt.