Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnGeS-=SUB=-4-=/SUB=-

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI:10.21883/ftp.2022.05.52353.9801

И. В. Боднарь, В.А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский

{"title":"Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnGeS-=SUB=-4-=/SUB=-","authors":"И. В. Боднарь, В.А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский","doi":"10.21883/ftp.2022.05.52353.9801","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"86 5 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52353.9801","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.

查看原文本刊更多论文

Cu-= tlc -2 =/SUB=-ZnGeS = = 4-= - SUB -= -4-= - SUB -= -

化学气体反应是由Cu2ZnGeS4化合物的单晶产生的。它们的组成和晶体结构已经确定。显示生长的单晶在正交结构中结晶。在10-320 K的温度范围内，通过自身吸收的光谱，指定了指定单晶禁区的宽度。我们发现禁区的宽度随着温度的下降而增加。关键字:单晶，晶体结构，通行光谱，禁区宽度。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Физика и техника полупроводников

自引率

0.00%

发文量