On the Gettering Efficiency of Crystal Defects in Silicon

Abstract

The following hypothesis concerning the order of increasing gettering efficiency of different dislocation types is deduced from ebic/TEM investigations: stair rod partials, Shockley partials, complete dislocations, Frank partials. Aus ebic/TEM-Untersuchungen wird folgende Hypothese bezuglich der Reihenfolge des Anstieges der Gettereffektivitat versehiedener Versetzungstypen ermittelt: Stair Rod Partialversetzungen, Shockley'sche Partialversetzungen, vollstandige Versetzungen, Frank'sche Partialversetzungen.