210 nm Emitting LEDs Exploiting Compositional Fluctuations in AlGaN Nanowires

2021 Photonics North (PN) Pub Date : 2021-05-31 DOI:10.1109/PN52152.2021.9597987

Qihua Zhang, Songrui Zhao

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Abstract

In this paper, we report 210 nm emission from AlGaN nanowire light-emitting diodes on silicon substrate through exploiting alloy compositional fluctuations in AlGaN nanowires.

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利用AlGaN纳米线组成波动的210 nm发光led

在本文中，我们报道了利用AlGaN纳米线中合金成分的波动，在硅衬底上从AlGaN纳米线发光二极管发出210 nm的发光。

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