Characterization of Plasma Etching of Molybdenum Polycid Conductor Stacks in Cl2/CF4 and Cl2/CF4/O2

Abstract

The present paper is concerned with an extremly anisotropic two-step patterning process for Mo2Si/poly-Si double layers with an etch-stop on thick P-doped CVD-SiO2. As etching gas Cl2/CF4/O2 and Cl2/CF4 are used. By means of etch rate dependencies, volatilities of possible reaction products and results, obtained from the literature it is attempted to develop a simple qualitative model on the chemism of the process. Der Artikel beschreibt einen auserst anisotropen plasmachemischen Zwei-Phasen-Strukturierungsprozes fur MoSi/poly-Si-Doppelschichten mit Atzstopp auf diekem P-dotiertem CVD-SiO2. Als Atzgase werden Cl2/CF4 und Cl2/CF4/O2 verwendet. Anhand von Atzratenabhangigkeiten, Fluchtigkeiten moglicher Reaktionsprodukte und Ergebnissen aus der Literatur wird versucht, ein einfaches qualitatives Modell zum Chemismus des Prozesses zu entwickeln.