SiCl_4^+(C^2T_2-X^2T_1, C^2T_2-A^2T_2) Emissions Produced from the He(2^3S), Ne(^3P_ )/SiCl_4 Penning Ionization and Ar^+(^2P_ )/SiCl_4 Charge-Transfer Reaction at Thermal Energy

The reports of Institute of Advanced Material Study Kyushu University Pub Date : 1995-11-15 DOI:10.15017/6666

M. Tsuji, 辻正治, Masafumi Nakamura, T. Mizuguchi, Nobuo Kaneko, Y. Nishimura, 西村幸雄, ツジマサハル, マサフミナカムラ, トシノリミズグチ, ノブオカネコ, ユキオニシムラ

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He(2^3S)、Ne(^3P_)/SiCl_4 Penning电离和Ar^+(^2P_)/SiCl_4电荷转移反应产生的SiCl_4^+(C^2T_2- x ^2T_1, C^2T_2- a ^2T_2)辐射

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