Оптимизация параметров гетероструктуры CdHgTe/HgTe с одиночной квантовой ямой для генерации плазмон-фононов

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2023-01-01 DOI:10.21883/ftp.2023.04.55892.06k

В.Я. Алешкин, А О Рудаков, А.А. Дубинов

引用次数: 0

Abstract

Работа посвящена выбору оптимальной ширины запрещенной зоны квантовой ямы для генерации двумерных плазмон-фононов в гетероструктурах CdHgTe/HgTe. Показано, что оптимальной эффективной шириной запрещенной зоны является ширина, немного превосходящая энергию продольного оптического фонона в барьере. Ключевые слова: гетероструктуры CdHgTe/HgTe с квантовыми ямами, генерация двумерных плазмон-фононов, оптимальная ширина запрещенной зоны.

查看原文本刊更多论文

优化CdHgTe/HgTe异质结构参数，单量子坑产生等离子管

工作重点是选择量子坑的最佳宽度，以产生CdHgTe/HgTe异质结构中的二维等离子体丰。被禁止区域的最佳有效宽度是宽度，略高于屏障中纵向光学背景的能量。关键词:量子坑的CdHgTe/HgTe异质结构，产生二维等离子体背景，最佳禁区宽度。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Физика и техника полупроводников

自引率

0.00%

发文量