Комплексы вакансия галлия --- мелкий донор в n-GaAs, легированном элементами VI группы Te или S (О б з о р)

Abstract

Рассмотрены результаты исследований комплексов вакансия Ga (VGa) --- мелкий донор (атом Te или S, замещающий атом As в ближайшем к вакансии узле решетки) методами фотолюминесценции при резонансном поляризованном возбуждении и пьезоспектроскопии. Анализ экспериментальных данных в классическом дипольном приближении показывает, что симметрия комплексов ниже тригональной и их оптические свойства объясняются в модели моноклинного дефекта, имеющего плоскость симметрии типа \011\, в которой лежит исходная тригональная ось и ось оптического диполя. Причиной понижения симметрии исходно тригонального центра являются дисторсии, возникающие из-за эффекта Яна-Теллера. Предложена микроскопическая модель, связывающая особенности поведения оптических свойств комплекса VGaTeAs при одноосных деформациях и изменении температуры с особенностями структуры электронных уровней и изменением зарядового состояния комплекса. Различия в этом поведении, наблюдавшиеся для комплекса VGaSAs, анализируются и возможные причины их появления обсуждаются. Ключевые слова: вакансионные комплексы в GaAs, эффект Яна-Теллера, фотолюминесценция при резонансном возбуждении, пьезоспектроскопия.