بررسي اثر ضخامت زيرلايه بر جذب تك لايه هاي TMDC در ناحيه طول موج مرئي

Ensiyeh Mohebbi, Narges Ansari, F. Ghorbani
{"title":"بررسي اثر ضخامت زيرلايه بر جذب تك لايه هاي TMDC در ناحيه طول موج مرئي","authors":"Ensiyeh Mohebbi, Narges Ansari, F. Ghorbani","doi":"10.30473/JPHYS.2018.5562","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"با (TMDC) لایه هاي دوبعدي ديکالکوجنایدهاي فلزات واسطه \nگافهاي نواري مستقیم، افق جدیدي در کاربري این مواد در فوتونیک \nو الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواري باعث جذب اپتیکی \nچشمگیر این لایه ها در دستگاههاي فوتوولتاییک میشود. قرارگیري این \nلایه ها روي زیرلایه به علت بازتابهاي متوالی، بر طیف جذب اثر \nو یا ترکیب آنها به عنوان Si یا SiO میگذارد. به طور متداول، از 2 \nزیرلایه براي این تک لایه ها استفاده میشود. در این مقاله با استفاده از \nشامل TMDC روش ماتریس انتقال، طیف جذب تک لایههاي \nو یا Si یا SiO با حضور زیرلایۀ 2 WS و 2 MoS2،WSe2 ،MoSe2 \nبررسی شد. SiO با ضخامتهاي مختلف لایۀ 2 SiO2/Si دوتایی \nدر زیرلایۀ دوتایی به عنوان ضخامت SiO ضخامت 90 نانومتر لایۀ 2 \nبهینه انتخاب شد؛ چرا که روند کلی جذب را تغییر نمیدهد و باعث \nافزایش جذب در بعضی نواحی طول موجی میشود.","PeriodicalId":14747,"journal":{"name":"Journal De Physique","volume":"1 1","pages":"51-56"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2018-11-06","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Journal De Physique","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.30473/JPHYS.2018.5562","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

با (TMDC) لایه هاي دوبعدي ديکالکوجنایدهاي فلزات واسطه گافهاي نواري مستقیم، افق جدیدي در کاربري این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواري باعث جذب اپتیکی چشمگیر این لایه ها در دستگاههاي فوتوولتاییک میشود. قرارگیري این لایه ها روي زیرلایه به علت بازتابهاي متوالی، بر طیف جذب اثر و یا ترکیب آنها به عنوان Si یا SiO میگذارد. به طور متداول، از 2 زیرلایه براي این تک لایه ها استفاده میشود. در این مقاله با استفاده از شامل TMDC روش ماتریس انتقال، طیف جذب تک لایههاي و یا Si یا SiO با حضور زیرلایۀ 2 WS و 2 MoS2،WSe2 ،MoSe2 بررسی شد. SiO با ضخامتهاي مختلف لایۀ 2 SiO2/Si دوتایی در زیرلایۀ دوتایی به عنوان ضخامت SiO ضخامت 90 نانومتر لایۀ 2 بهینه انتخاب شد؛ چرا که روند کلی جذب را تغییر نمیدهد و باعث افزایش جذب در بعضی نواحی طول موجی میشود.
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信