Etude comparative de la photodissolution de l'argent dans les films minces de GeSex obtenus par évaporation flash et dépôt PECVD

Journal De Physique Pub Date : 1990-11-01 DOI:10.1051/JPHYS:0199000510210244900

J. Calas, R. R. Elghrandi, G. Galibert

{"title":"Etude comparative de la photodissolution de l'argent dans les films minces de GeSex obtenus par évaporation flash et dépôt PECVD","authors":"J. Calas, R. R. Elghrandi, G. Galibert","doi":"10.1051/JPHYS:0199000510210244900","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"This work compares the Ag photodissolution in the GeSe x glassy thin films elaborated from flash evaporation and from Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD): the investigated composition range x runs from 3 to 5.5. The manufacturing of these thin films and their optical and electrical caracterization are also given. Measurements of the reflectivity versus time during photodissolution are compared to the theoretical «step-like» multilayer model. The composition GeSe 4 from PECVD technics seems to be the most suitable for the VLSI microlithography Le but de ce travail est une etude comparative de la photodissolution de l'Ag dans le GeSe x pour des echantillons obtenus par evaporation flash et des echantillons deposes par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) et ceci pour differentes valeurs de x (3<x<5). Cette etude porte sur la fabrication des differentes couches minces, leur caracterisation optique et electrique, la mesure de la reflectivite R(t) en fonction du temps lors de la photodissolution de l'argent et la comparaison de ces mesures avec le modele theorique propose. Les conclusions permettent alors d'affirmer que le GeSe 4 obtenu par depot PECVD, du fait de son homogeneite pour de grandes dimensions et de la cinetique observee a le meilleur profil pour une application en microlithographie industrielle","PeriodicalId":14747,"journal":{"name":"Journal De Physique","volume":"1 1","pages":"2449-2463"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"1990-11-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"6","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Journal De Physique","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.1051/JPHYS:0199000510210244900","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 6

Abstract

This work compares the Ag photodissolution in the GeSe x glassy thin films elaborated from flash evaporation and from Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD): the investigated composition range x runs from 3 to 5.5. The manufacturing of these thin films and their optical and electrical caracterization are also given. Measurements of the reflectivity versus time during photodissolution are compared to the theoretical «step-like» multilayer model. The composition GeSe 4 from PECVD technics seems to be the most suitable for the VLSI microlithography Le but de ce travail est une etude comparative de la photodissolution de l'Ag dans le GeSe x pour des echantillons obtenus par evaporation flash et des echantillons deposes par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) et ceci pour differentes valeurs de x (3

查看原文本刊更多论文

闪蒸法和PECVD沉积法在GeSex薄膜中银光溶解的比较研究

本研究比较了闪蒸法和等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的GeSe x玻璃薄膜中Ag的光溶解:所研究的成分范围x从3到5.5。本文还介绍了这些薄膜的制备方法及其光学和电学表征。光溶解期间反射率随时间的测量值与理论“阶梯”多层模型进行了比较。从PECVD工艺中得到的ges4似乎最适合VLSI微光刻Le，但在比较了de la光溶解de l'Ag和Le gesx x pour des echantillons obtenus par蒸发闪蒸和des echantillons deposes par PECVD(等离子体增强化学气相沉积)和ceci后，不同的值de x (3

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Journal De Physique

自引率

0.00%

发文量

京公网安备 11010802042870号

Book学术文献互助群
群号：481959085