A CBLM Approach to the Electronic Structure of Transition Metal Impurities in Silicon

Day 1 Wed, February 23, 2022 Pub Date : 1986-02-01 DOI:10.1002/PSSB.2221330249

S. Wilke, J. Masek, B. Velicky

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Abstract

La structure electronique de ces elements dans Si est decrite par une methode parametrisee de reseau de Bethe d'amas a liaisons fortes. Cette methode est basee sur la description explicite d'un amas representant un site interstitiel tetraedrique typique du silicium

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