Line Defects in AIIIBV Semiconductors

Abstract

Line defects are found by means of TEM in epitaxial and bulk material of various AIIIBV semiconductors. These [110] oriented defects are localized near the surface and interface, respectively. The line defects are of vacancy type and reveal characteristic etch figures. A possible explanation is seen in the development of oriented point defect clusters. An epitaktischen und Volumenmaterial verschiedener AIIIBV-Halbleiter werden mittels TEM in Oberflachen- bzw. Grenzflachennahe neuartige Liniendefekte gefunden, die in [110] orientiert sind. Diese Defekte sind vom Leerstellentyp und bilden beim Anatzen charakteristische Atzfiguren. Eine mogliche Erklarung wird in der Bildung orientierter Cluster von Punktdefekten gesehen.