سلول خورشیدی پروسکایتی ارزان قیمت بر پایه انتقال دهنده حفره ایمیدازولی

Fatemeh Sadeghi, Hashem Shahroosvand, N. Mohammadi, Mohammadreza Maleki
{"title":"سلول خورشیدی پروسکایتی ارزان قیمت بر پایه انتقال دهنده حفره ایمیدازولی","authors":"Fatemeh Sadeghi, Hashem Shahroosvand, N. Mohammadi, Mohammadreza Maleki","doi":"10.22075/CHEM.2020.19583.1787","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"مواد انتقال‌دهنده حفره از اجزای بسیار مهم یک سلول خورشیدی پروسکایتی به شمار می‌روند، به‌نحوی که حضور آن‌ها یک مولفه کلیدی برای دستیابی به بازدهی بالا در تبدیل نور خورشید به الکتریسیته محسوب می‌شود. از این‌رو جستجو برای پیدا کردن انتقال‌دهنده های حفره جدید، کارآمد و کم‌هزینه برای استفاده در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی از داغ‌ترین موضوع‌های پژوهشی در قلمرو سلول‌های خورشیدی به شمار می‌رود. در این مقاله، نسل جدیدی از انتقال‌دهنده‌های حفره آلی به منظور استفاده در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، تهیه و معرفی شده است. انتقال‌دهنده حفره آلی دوهسته-ای bis(4-(4,5-diphenyl-2-(p-tolyl)-4,5-dihydro-1H-imidazol-1-yl)phenyl)methane که با نام اختصاری MDA-PI2 معرفی می‌شود، بر پایه بنزیل‌ایمیدازول‌ها سنتز و شناسایی شد و سرانجام به عنوان ماده انتقال‌دهنده حفره آلی دوهسته‌ای در سلول خورشیدی پروسکایتی مورد استفاده قرار گرفت . از آنجا که ویژگی‌های فوتو فیزیکی، فوتو شیمیایی و الکتروشیمیایی انتقال‌دهنده‌های حفره نقش بسیار مهمی را در بهبود عملکرد یک سلول خورشیدی پروسکایتی بازی می‌کنند به بررسی آنالیزهای مختلفی از جمله ولتامتری چرخه‌ای، پایداری حرارتی، فوتولومینسانس، زاویه تماسی آب پرداخته شد که همگی گویای عملکرد مطلوب انتقال‌دهنده حفره جدید سنتز شده در یک سلول خورشیدی پروسکایتی بودند. همچنین، میزان فرونشانی فعالیت نشری انتقال دهنده حفره جدید بسیار نزدیک به نمونه مرجع Spiro-OMeTAD در حضور لایه جاذب پروسکایتی بود که نشان از انتقال موثر حفره‌ها در سلول خورشیدی پروسکایتی می‌باشد. پس از ساخت سلول خورشیدی پروسکایتی بدون انتقال دهنده حفره و بر پایه انتقال دهنده حفره جدید، میزان بازده سلول خورشیدی پروسکایتی ، از مقدار 1/57 درصد در غیاب انتقال‌دهنده حفره، به مقدار 6/60 درصد در حضور انتقال‌دهنده حفره جدید افزایش پیدا کرد که نشان‌دهنده عملکرد خوب انتقال‌دهنده‌های حفره بر پایه حلقه های ایمیدازولی است .","PeriodicalId":7954,"journal":{"name":"Applied Chemistry","volume":"6 1","pages":"257-272"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-03-21","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Applied Chemistry","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.22075/CHEM.2020.19583.1787","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

مواد انتقال‌دهنده حفره از اجزای بسیار مهم یک سلول خورشیدی پروسکایتی به شمار می‌روند، به‌نحوی که حضور آن‌ها یک مولفه کلیدی برای دستیابی به بازدهی بالا در تبدیل نور خورشید به الکتریسیته محسوب می‌شود. از این‌رو جستجو برای پیدا کردن انتقال‌دهنده های حفره جدید، کارآمد و کم‌هزینه برای استفاده در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی از داغ‌ترین موضوع‌های پژوهشی در قلمرو سلول‌های خورشیدی به شمار می‌رود. در این مقاله، نسل جدیدی از انتقال‌دهنده‌های حفره آلی به منظور استفاده در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، تهیه و معرفی شده است. انتقال‌دهنده حفره آلی دوهسته-ای bis(4-(4,5-diphenyl-2-(p-tolyl)-4,5-dihydro-1H-imidazol-1-yl)phenyl)methane که با نام اختصاری MDA-PI2 معرفی می‌شود، بر پایه بنزیل‌ایمیدازول‌ها سنتز و شناسایی شد و سرانجام به عنوان ماده انتقال‌دهنده حفره آلی دوهسته‌ای در سلول خورشیدی پروسکایتی مورد استفاده قرار گرفت . از آنجا که ویژگی‌های فوتو فیزیکی، فوتو شیمیایی و الکتروشیمیایی انتقال‌دهنده‌های حفره نقش بسیار مهمی را در بهبود عملکرد یک سلول خورشیدی پروسکایتی بازی می‌کنند به بررسی آنالیزهای مختلفی از جمله ولتامتری چرخه‌ای، پایداری حرارتی، فوتولومینسانس، زاویه تماسی آب پرداخته شد که همگی گویای عملکرد مطلوب انتقال‌دهنده حفره جدید سنتز شده در یک سلول خورشیدی پروسکایتی بودند. همچنین، میزان فرونشانی فعالیت نشری انتقال دهنده حفره جدید بسیار نزدیک به نمونه مرجع Spiro-OMeTAD در حضور لایه جاذب پروسکایتی بود که نشان از انتقال موثر حفره‌ها در سلول خورشیدی پروسکایتی می‌باشد. پس از ساخت سلول خورشیدی پروسکایتی بدون انتقال دهنده حفره و بر پایه انتقال دهنده حفره جدید، میزان بازده سلول خورشیدی پروسکایتی ، از مقدار 1/57 درصد در غیاب انتقال‌دهنده حفره، به مقدار 6/60 درصد در حضور انتقال‌دهنده حفره جدید افزایش پیدا کرد که نشان‌دهنده عملکرد خوب انتقال‌دهنده‌های حفره بر پایه حلقه های ایمیدازولی است .
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信