tude exprimentale de la transition mtal-isolant en dimension deux

R. Leturcq
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Abstract

Dans des heterostructures semiconductrices a basse temperature, il est possible de realiser des systemes d'electrons purement bidimensionnels de densite electronique variable. A basse densite, la theorie predit que les correlations entre electrons dominent les fluctuations quantiques, conduisant a un etat collectif tel le cristal de Wigner. Dans les systemes reels, la presence de desordre rend la situation plus complexe: l'observation recente d'une transition metal-isolant, non prevue par les theories d'electrons independants, pose la question de la competition entre les interactions et le desordre en dimension deux. Ce travail presente des mesures de transport en fonction du champ electrique, et des mesures de fluctuations de resistance, a tres basse temperature dans des gaz bidimensionnels de trous formes dans des puits quantiques SiGe et GaAs. Dans ces systemes, la masse effective elevee des porteurs et la faible densite permettent d'atteindre un regime ou les interactions ne sont plus negligeables. Dans les echantillons desordonnes (SiGe), pour lesquels les lois de transport peuvent etre expliquees dans le cadre de particules independantes, les effets de champ electrique sont dus au chauffage des porteurs. L'etude de ces effets a permis de deduire la nature du couplage electron-phonon dans ce systeme. Par contre, dans les echantillons moins desordonnes (GaAs), les lois de transport en temperature et en champ electrique a tres faible densite peuvent evoquer le transport d'une phase collective. Les mesures des fluctuations de resistance, ou bruit en 1/f, apportent des informations complementaires par rapport aux mesures de transport. Dans, les echantillons GaAs, l'observation d'une loi d'echelle sur le bruit est caracteristique d'une transition de phase a basse densite. Ces resultats sont compatibles avec les scenarios de formation d'une phase collective en presence de desordre par l'intermediaire d'une transition de percolation.
在低温半导体异质结构中,可以实现具有可变电子密度的纯二维电子系统。在低密度时,该理论预测电子之间的相关性主导量子波动,导致像维格纳晶体这样的集体态。在真实系统中,无序的存在使情况更加复杂:最近观察到的金属-绝缘转变,独立电子理论没有预见到,提出了二维相互作用和无序之间竞争的问题。这项工作提出了在SiGe和GaAs量子阱中形成的二维气体孔中,在极低温度下的输运作为电场的函数和电阻波动的测量。在这些系统中,载体的高有效质量和低密度使它们能够达到一个相互作用不再被忽视的状态。在无序样品(SiGe)中,输运定律可以在独立粒子的情况下解释,电场效应是由于载体的加热。对这些效应的研究使我们能够推断出这个系统中电子-声子耦合的性质。另一方面,在不那么无序的样品(GaAs)中,温度和极低密度电场的输运定律可以唤起集体相的输运。电阻波动或1/f噪声的测量提供了传输测量的补充信息。在GaAs样品中,噪声尺度定律的观察是低密度相变的特征。这些结果与通过渗流过渡在无序存在下形成集体相的情景是一致的。
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Annales De Physique
Annales De Physique 物理-物理:综合
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