Bandgap reduction of InP and GaSb epitaxial layers containing Bi

Invertis Journal of Science & Technology Pub Date : 2017-01-01 DOI:10.5958/2454-762X.2017.00017.8

M. K. Bhowal, T. D. Das

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Abstract

We report on the growth of InPBi and GaSbBi epitaxial layers by liquid phase epitaxy. Photoluminescence measurements showed a bandgap reduction of 55 meV for InPBi and 24 meV for GaSbBi due to the incorporation of Bi in the III-V lattice.

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含Bi的InP和GaSb外延层带隙减小

我们报道了用液相外延法生长InPBi和GaSbBi外延层。光致发光测量表明，由于Bi在III-V晶格中的掺入，InPBi的带隙减少了55 meV, GaSbBi的带隙减少了24 meV。

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