Mn 1.56 Co (0.96-x) Ni 0.48 Cu x O 4 系列薄膜光电性质研究

Abstract

用化学溶液沉积法,以Al2O3为衬底在750℃温度下制备了锰钴镍铜Mn1.56Co（0.96-x）Ni0.48CuxO4系列薄膜.制备温度低于传统烧结工艺需要的温度（1100℃）.采用X射线衍射（XRD）对所制备材料的结晶性能进行测量.结果表明,在一定范围内随着铜组分的增加,材料的择优取向发生变化,结晶性能提高且保持立方尖晶石单相结构.根据Scherrer方程和XRD数据计算薄膜的晶粒尺寸,Cu含量的增加导致薄膜晶粒尺寸增大.扫描电镜（SEM）图验证了制备的薄膜材料均匀致密,无裂痕.测量材料的变温I-V特性,计算材料在295 K下负温度电阻系数α及其活化能和特征温度,当Cu含量低时材料的α值较大,随着Cu组分的增加,α由-4.12%下降到-3.29%.利用椭偏光谱仪（SE）,拟合材料在近紫外-可见-近红外波段的消光系数,并初步指认消光系数峰.