Influencia del tratamiento térmico en las propiedades estructurales y ópticas de nanoestructuras basadas en óxidos de cobre

IF 0.5 Q4 ENGINEERING, MULTIDISCIPLINARY
Kevin Tamayo, Lorena Marín, Katherine Gross, César Amaya, David Reyes, W. Lopera, M. Gómez
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Abstract

Este trabajo muestra la influencia de diferentes condiciones de tratamientos térmicos sobre el crecimiento de nanoestructuras de óxidos de cobre, las cuales se forman al someter una película de cobre de 388 ± 7 nm de espesor a una temperatura de 400 °C en atmósfera de aire. Las capas delgadas de cobre se crecieron sobre sustratos de silicio, mediante la técnica de evaporación térmica. Los parámetros involucrados en este estudio son: la condición inicial para la cual las muestras llegan a 400 °C, es decir, con rampa y sin rampa de calentamiento y el tiempo de recocido.  Basándose en los resultados obtenidos por microscopía electrónica de barrido y difracción de rayos X, fue posible establecer que los tratamientos térmicos, generan un cambio tanto en la estructura cristalina como en la morfología de la capa de Cu, mediado por la formación de nanoestructuras de carácter mixto, conformadas por una mezcla de fases referentes a Cu metálico, Cuprita (Cu2O) y Tenorita (CuO), siendo el CuO la fase mayoritaria en todas las muestras nanoestructuradas. El tamaño de grano promedio se encuentra en un rango entre 21 – 53 nm y muestra una dependencia con el tipo de tratamiento térmico. Por otra parte, las propiedades ópticas del material fueron evaluadas por espectroscopia UV-VIS, evidenciando bandas de absorción en ambas regiones (ultravioleta y visible), las cuales fueron analizadas por el método de extrapolación de Tauc; obteniendo valores para la banda prohibida entre (1.40 – 1.47) eV, asociados a una conductividad tipo-P propia de esta clase de óxidos metálicos semiconductores.
热处理在结构和光学特性的影响基于铜氧化物纳米结构
本文研究了不同热处理条件对氧化铜纳米结构生长的影响,氧化铜纳米结构是在400°C的空气温度下将388±7 nm厚的铜膜置于大气中形成的。薄薄的铜层是通过热蒸发技术在硅基板上生长的。本研究涉及的参数是:样品达到400°C的初始条件,即有加热斜坡和没有加热斜坡和退火时间。基于成果的扫描电子显微镜和X射线衍射,热疗法也能产生一个晶体结构和变化形态,uc层的混合性质,由纳米结构的形成阶段涉及金属Cu、Cuprita (Cu2O)和Tenorita (CuO), CuO大多数阶段在所有样本改良。平均晶粒尺寸在21 - 53 nm范围内,并与热处理类型有关。此外,用紫外-可见光谱法评价了材料的光学性能,显示了两个区域(紫外和可见光)的吸收带,并用Tauc外推法进行了分析;获得(1.40 - 1.47)eV之间的带隙值,与这类半导体金属氧化物的p型电导率相关。
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Ingenieria y Competitividad
Ingenieria y Competitividad ENGINEERING, MULTIDISCIPLINARY-
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