Pengaruh Variasi Rapat Arus pada Pembentukan Silikon Berpori di atas Permukaan Si (111) Tipe-P dengan Metode Anodisasi Elektrokimia

Abstract

Silikon berpori (PSi) telah terbentuk di atas substrat Si (111) tipe-p menggunakan metode anodisasi elektrokimia. Permukaan silikon dianodisasi dalam larutan HF (40%) dan Etanol (96%) dengan perbandingan 1:1 pada rapat arus 70 mA/cm 2 , 80 mA/cm 2 , dan 90 mA/cm 2 selama 6 menit. Plat platina sebagai katoda sedangkan silikon sebagai anoda dengan jarak 5 cm. Reflektansi PSi dikarakterisasi dengan Spektroskopi UV-Vis dan morfologi permukaan PSi dikarakterisasi dengan AFM. Kedalaman, lebar, dan kekasaran PSi meningkat dengan bertambahnya rapat arus. Hasil pengukuran pori menunjukkan nilai lebar pori (μm) lebih besar dari nilai kedalaman pori (nm). Hasil tersebut memperlihatkan bahwa proses etching arah horizontal lebih cepat dari arah vertikal. Pori yang terbentuk pada PSi diklasifikasikan jenis makropori karena lebar porinya berukuran (>50nm). Reflektansi PSi menurun dengan meningkatnya rapat arus. Osilasi reflektansi terjadi  pada lapisan PSi karena adanya foton yang dipantulkan dengan sudut yang berbeda karena adanya perbedaan kedalaman pori yang terbentuk. Hasil karakterisasi AFM dan hasil karakterisasi reflektansi menunjukkan permukaan PSi yang terbentuk tidak homogen. Lapisan PSi yang terbentuk memiliki potensi sebagai lapisan anti-reflective .