Разработка пористых структур на основе оксидных полупроводников

IF 0.9 4区 数学 Q3 COMPUTER SCIENCE, THEORY & METHODS
М. А. Бисенова, Р.Е. Бейсенов, А.Л. Мереке, Е.Е. Бейсенова
{"title":"Разработка пористых структур на основе оксидных полупроводников","authors":"М. А. Бисенова, Р.Е. Бейсенов, А.Л. Мереке, Е.Е. Бейсенова","doi":"10.18321/CPC409","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В статье представлены результаты изменения размеров пор в зависимости от количества порообразующего агента и измерения удельной поверхности в зависимости от температуры спекания. Трехмерный пористый фотоанод производился из смеси наноразмерных порошков Co3O4, и TiO2 с различным количеством порообразующих агентов для дальнейшего смешивания в водном растворе. Исследования морфологии трехмерного тонкопленочного пористого фотоанода методами сканирующего электронного микроскопа показало образование пористой структуры с субмикронными размерами пор зависящих от добавляемого порообразующего агента. Наибольшая площадь поверхности трехмерной структуры будет достигнута с использованием разработанной технологии, использующей смеси материалов, которые играют роль порообразователей в материале анода, которая позволяет повысить эффективность поглощения света за счет создания смешанной или многослойной структуры из нескольких фотокаталитических материалов.","PeriodicalId":10513,"journal":{"name":"Combinatorics, Probability & Computing","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.9000,"publicationDate":"2021-03-10","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Combinatorics, Probability & Computing","FirstCategoryId":"100","ListUrlMain":"https://doi.org/10.18321/CPC409","RegionNum":4,"RegionCategory":"数学","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"Q3","JCRName":"COMPUTER SCIENCE, THEORY & METHODS","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

В статье представлены результаты изменения размеров пор в зависимости от количества порообразующего агента и измерения удельной поверхности в зависимости от температуры спекания. Трехмерный пористый фотоанод производился из смеси наноразмерных порошков Co3O4, и TiO2 с различным количеством порообразующих агентов для дальнейшего смешивания в водном растворе. Исследования морфологии трехмерного тонкопленочного пористого фотоанода методами сканирующего электронного микроскопа показало образование пористой структуры с субмикронными размерами пор зависящих от добавляемого порообразующего агента. Наибольшая площадь поверхности трехмерной структуры будет достигнута с использованием разработанной технологии, использующей смеси материалов, которые играют роль порообразователей в материале анода, которая позволяет повысить эффективность поглощения света за счет создания смешанной или многослойной структуры из нескольких фотокаталитических материалов.
氧化物半导体多孔结构的开发
本文介绍了根据发泡剂数量变化孔径的结果,以及根据烧结温度测量比表面的结果。三维多孔光极是由纳米粉末CO3O4和TiO2与不同数量的发泡剂的混合物制成的,以便在水溶液中进一步混合。利用扫描电子显微镜技术对三维薄膜多孔光阳极形态的研究表明,多孔结构的形成取决于所加入的发泡剂,其孔径为亚微米。三维结构的最大表面面积将使用开发的技术来实现,该技术使用阳极材料中起发泡剂作用的材料混合物,通过创建混合或多层结构来提高光吸收效率。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
Combinatorics, Probability & Computing
Combinatorics, Probability & Computing 数学-计算机:理论方法
CiteScore
2.40
自引率
11.10%
发文量
33
审稿时长
6-12 weeks
期刊介绍: Published bimonthly, Combinatorics, Probability & Computing is devoted to the three areas of combinatorics, probability theory and theoretical computer science. Topics covered include classical and algebraic graph theory, extremal set theory, matroid theory, probabilistic methods and random combinatorial structures; combinatorial probability and limit theorems for random combinatorial structures; the theory of algorithms (including complexity theory), randomised algorithms, probabilistic analysis of algorithms, computational learning theory and optimisation.
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信