Влияние кластерообразования компонентов при выращивании варизонного твердого раствора Si1-xGex из оловянного раствора-расплава

«Узбекский физический журнал» Pub Date : 2024-07-05 DOI:10.52304/.v26i2.522

А.Ш. Раззоков, А. С. Саидов, С.И. Петрушенко, С. В. Дукаров, Д.Э. Кошчанова, Р.М. Отажонова

{"title":"Влияние кластерообразования компонентов при выращивании варизонного твердого раствора Si1-xGex из оловянного раствора-расплава","authors":"А.Ш. Раззоков, А. С. Саидов, С.И. Петрушенко, С. В. Дукаров, Д.Э. Кошчанова, Р.М. Отажонова","doi":"10.52304/.v26i2.522","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Выращены монокристаллические пленки твердого раствора Si1-xGex (0 из оловянного раствора-расплава методом жидкофазной эпитаксии. Темпе-ратура начала кристаллизации варьировались в интервале Тнк=(800−1050)°С. Рентгено-дифрактометрическим методом изучена монокристалличность полученных пленок, атакже зависимость плотности дислокаций на границе подложка-пленка от количества иразмера образованных нанокластеров в растворе-расплаве в процессе роста твердогораствора Si1-xGex .Приведены оптимальные технологические режимы роста для получе-ния кристаллических совершенных эпитаксиальных слоёв и структур.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":" 42","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2024-07-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"«Узбекский физический журнал»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.52304/.v26i2.522","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Выращены монокристаллические пленки твердого раствора Si1-xGex (0 из оловянного раствора-расплава методом жидкофазной эпитаксии. Темпе-ратура начала кристаллизации варьировались в интервале Тнк=(800−1050)°С. Рентгено-дифрактометрическим методом изучена монокристалличность полученных пленок, атакже зависимость плотности дислокаций на границе подложка-пленка от количества иразмера образованных нанокластеров в растворе-расплаве в процессе роста твердогораствора Si1-xGex .Приведены оптимальные технологические режимы роста для получе-ния кристаллических совершенных эпитаксиальных слоёв и структур.

查看原文本刊更多论文

从锡熔体溶液中生长出变异型 Si1-xGex 固溶体过程中成分聚类的影响

通过液相外延法，从锡熔体溶液中生长出 Si1-xGex (0 固溶体的单晶薄膜。结晶起始温度在 Tnk=(800-1050)℃ 范围内变化。通过 X 射线衍射仪研究了所获得薄膜的单晶度，以及在 Si1-xGex 固溶体生长过程中，基底-薄膜边界的位错密度与熔融溶液中形成的纳米团簇的数量和大小的关系。提供了获得完美结晶外延层和结构的最佳技术生长模式。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

«Узбекский физический журнал»

自引率

0.00%

发文量