ДОСЛІДЖЕННЯ ВЗАЄМОЗАЛЕЖНОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ВАРИКАПА

В. М. Литвиненко
{"title":"ДОСЛІДЖЕННЯ ВЗАЄМОЗАЛЕЖНОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ВАРИКАПА","authors":"В. М. Литвиненко","doi":"10.35546/kntu2078-4481.2024.1.9","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Варикап – це напівпровідниковий діод, дія якого заснована на використанні залежності ємності від зворотної напруги і який призначений для застосування як елемент із електрично керованою ємністю. Як керована ємність використовується бар'єрна (зарядова) ємність р-n переходу. Дифузійна ємність не підходить для цієї цілі, так як вона проявляється при прямому зміщенні p-n переходу, коли рівень прямого струму через діод великий, отже для керування величиною дифузійної ємності необхідно витрачати значну потужність джерела живлення. В той же час на зміну величини бар’єрної ємності при зворотному включені варикапу витрачається зовсім незначна потужність джерела живлення. У виробництві варикапів кожен тип приладу має кілька груп, що відрізняються за добротністю – низькодобротні і високодобротні. Потреби варикапів в тій чи іншій групі залежить від замовлень споживачів, які можуть змінюватися непередбачено. Добротність варикапа, як і любого конденсатора, визначається відношенням реактивного опору варикапа на заданій частоті змінного сигналу до повного активного опору варикапа (опору втрат). Показано, що опір структури варикапа залежить від великої кількості чинників, багато з яких не пов'язані з вимірюванням питомого опору та товщини вихідної епітаксіальної плівки. Тому некоректно було б при прогнозуванні величини добротності варикапа орієнтуватися тільки на значення цих двох параметрів. Виходячи з цього, виникає необхідність проведення досліджень, спрямованих на знаходження залежності величини добротності варикапа від значень деяких його електричних параметрів, а саме, від величини пробивної напруги та коефіцієнта перекриття за ємністю. Це дозволяє проводити прогнозування величини добротності варикапів на ранніх стадіях їх виготовлення. У статті наведені результати дослідження взаємозалежності електричних параметрів варикапа. Досліджено залежність величини добротності варикапа від його напруги пробою та коефіцієнта перекриття за ємністю. Наведено експериментальні графіки отриманих залежностей. Розроблено методику прогнозування величини добротності варикапу за значеннями його електричних параметрів.","PeriodicalId":518826,"journal":{"name":"Вісник Херсонського національного технічного університету","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2024-05-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Вісник Херсонського національного технічного університету","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2024.1.9","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

Варикап – це напівпровідниковий діод, дія якого заснована на використанні залежності ємності від зворотної напруги і який призначений для застосування як елемент із електрично керованою ємністю. Як керована ємність використовується бар'єрна (зарядова) ємність р-n переходу. Дифузійна ємність не підходить для цієї цілі, так як вона проявляється при прямому зміщенні p-n переходу, коли рівень прямого струму через діод великий, отже для керування величиною дифузійної ємності необхідно витрачати значну потужність джерела живлення. В той же час на зміну величини бар’єрної ємності при зворотному включені варикапу витрачається зовсім незначна потужність джерела живлення. У виробництві варикапів кожен тип приладу має кілька груп, що відрізняються за добротністю – низькодобротні і високодобротні. Потреби варикапів в тій чи іншій групі залежить від замовлень споживачів, які можуть змінюватися непередбачено. Добротність варикапа, як і любого конденсатора, визначається відношенням реактивного опору варикапа на заданій частоті змінного сигналу до повного активного опору варикапа (опору втрат). Показано, що опір структури варикапа залежить від великої кількості чинників, багато з яких не пов'язані з вимірюванням питомого опору та товщини вихідної епітаксіальної плівки. Тому некоректно було б при прогнозуванні величини добротності варикапа орієнтуватися тільки на значення цих двох параметрів. Виходячи з цього, виникає необхідність проведення досліджень, спрямованих на знаходження залежності величини добротності варикапа від значень деяких його електричних параметрів, а саме, від величини пробивної напруги та коефіцієнта перекриття за ємністю. Це дозволяє проводити прогнозування величини добротності варикапів на ранніх стадіях їх виготовлення. У статті наведені результати дослідження взаємозалежності електричних параметрів варикапа. Досліджено залежність величини добротності варикапа від його напруги пробою та коефіцієнта перекриття за ємністю. Наведено експериментальні графіки отриманих залежностей. Розроблено методику прогнозування величини добротності варикапу за значеннями його електричних параметрів.
研究变阻器电气参数的相互依存关系
变容二极管是一种半导体二极管,其工作原理是利用电容与反向电压的关系,旨在用作电控电容元件。p-n 结的势垒(电荷)电容用作受控电容。扩散电容并不适合这一用途,因为当通过二极管的直流电流水平较高时,扩散电容会在 p-n 结的直接偏置处表现出来,因此,要控制扩散电容的值,必须消耗大量的电源。与此同时,当变容二极管反向开启时,只需消耗极小量的功率即可改变势垒电容的值。在变阻器的生产过程中,每种设备都有几组质量系数不同的器件--低质量和高质量。不同组别的变阻器需求取决于客户订单,而客户订单的变化是不可预测的。变阻器的品质因数与任何电容器一样,由变阻器在给定频率的交变信号下的无功电阻与变阻器总有功电阻(损耗电阻)之比决定。研究表明,变容结构的电阻取决于许多因素,其中许多因素与测量初始外延薄膜的电阻率和厚度无关。因此,在预测变容二极管的 Q 因子值时,仅仅依靠这两个参数的值是不正确的。因此,有必要开展研究,找出变容二极管的 Q 因子与其某些电气参数值(即击穿电压和电容重叠因子)之间的关系。这样就有可能在压敏电阻制造的早期阶段预测其品质因数。本文介绍了对变容电容器电气参数相互依存关系的研究结果。研究了变阻器品质因数对其击穿电压和电容重叠系数的依赖关系。文中展示了所获得的相关性实验图。还开发了一种根据变阻器电气参数值预测变阻器品质因数值的技术。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信