Александр М. Ходаков, Виталий И. Смирнов, В.А. Сергеев, Руслан Г. Тарасов, Андрей А. Гавриков
{"title":"Modeling and analysis of temperature and thermomechanical stress distributions in a multi-chip electronic module","authors":"Александр М. Ходаков, Виталий И. Смирнов, В.А. Сергеев, Руслан Г. Тарасов, Андрей А. Гавриков","doi":"10.17725/rensit.2024.16.215","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Рассмотрена математическая термомеханическая модель многокристального электронного модуля (МЭМ), содержащего три кремниевых кристалла мощных транзисторов, закрепленных токопроводящим адгезивом на медной пластине, размещенной на радиаторе, в виде системы уравнений теплопроводности и термоупругости с заданными граничными условиями. В результате расчетных исследований модели в программной среде COMSOL Multiphysics получены распределения температуры и термомеханических напряжений в элементах конструкции МЭМ в зависимости от греющей мощности, толщины адгезива и размера модельного дефекта контактного соединения одного из кристаллов МЭМ с медной пластиной в виде пустот в слое адгезива. Показано, что пустоты в слое адгезива приводят к резко неоднородному распределению температуры по площади кристалла и термомеханическим напряжениям сдвига в контактном слое, превышающим предельно допустимые значения для адгезива. Установлено, что термомеханические напряжения уменьшаются с увеличением толщины слоя адгезива и возрастают с увеличением размера дефекта (пустот) в этом слое. Результаты моделирования хорошо согласуются с результатами измерения теплового импеданса кристаллов мощных транзисторов модуляционным методом, что говорит о корректности и адекватности разработанной модели.","PeriodicalId":517520,"journal":{"name":"Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies.","volume":"52 46","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2024-04-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies.","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.17725/rensit.2024.16.215","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Рассмотрена математическая термомеханическая модель многокристального электронного модуля (МЭМ), содержащего три кремниевых кристалла мощных транзисторов, закрепленных токопроводящим адгезивом на медной пластине, размещенной на радиаторе, в виде системы уравнений теплопроводности и термоупругости с заданными граничными условиями. В результате расчетных исследований модели в программной среде COMSOL Multiphysics получены распределения температуры и термомеханических напряжений в элементах конструкции МЭМ в зависимости от греющей мощности, толщины адгезива и размера модельного дефекта контактного соединения одного из кристаллов МЭМ с медной пластиной в виде пустот в слое адгезива. Показано, что пустоты в слое адгезива приводят к резко неоднородному распределению температуры по площади кристалла и термомеханическим напряжениям сдвига в контактном слое, превышающим предельно допустимые значения для адгезива. Установлено, что термомеханические напряжения уменьшаются с увеличением толщины слоя адгезива и возрастают с увеличением размера дефекта (пустот) в этом слое. Результаты моделирования хорошо согласуются с результатами измерения теплового импеданса кристаллов мощных транзисторов модуляционным методом, что говорит о корректности и адекватности разработанной модели.
多芯片电子模块(MEM)包含三个大功率晶体管硅晶体,用导电胶固定在散热片上的铜板上,该模块的热力学数学模型是以热传导和热弹性方程组的形式并结合特定的边界条件来考虑的。通过在 COMSOL Multiphysics 软件环境中对模型进行计算研究,得出了 MEM 结构元件中的温度分布和热机械应力,这取决于加热功率、粘合剂厚度以及其中一个 MEM 晶体与铜板之间以粘合剂层空隙形式存在的接触连接模型缺陷的大小。结果表明,粘合剂层中的空隙会导致晶体区域的温度分布极不均匀,接触层中的热机械剪应力超过粘合剂的最大允许值。研究发现,热机械应力随着粘合剂层厚度的增加而减小,并随着该层缺陷(空隙)大小的增加而增大。建模结果与通过调制方法测量大功率晶体管晶体热阻的结果非常吻合,这表明所开发模型的正确性和充分性。