Влияние тонкого слоя InAs на энергию электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs

«Узбекский физический журнал» Pub Date : 2024-01-17 DOI:10.52304/.v25i4.474

П.Ж. Байматов, Б.Т. Абдулазизов, М.С. Тохиржонов

{"title":"Влияние тонкого слоя InAs на энергию электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs","authors":"П.Ж. Байматов, Б.Т. Абдулазизов, М.С. Тохиржонов","doi":"10.52304/.v25i4.474","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В работе представлены результаты изучения природы энергетических уровней электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs, содержащих тонкий нанослой InAs. Численными и аналитическими методами проанализированы зависимости этих энергетических уровней от толщины слоя InAs En(b). В модели бесконечно глубокой ямы получена аналитическая формула зависимости En(b). Найденная в модели параболических зон зависимость энергетических уровней от толщины b нанослоя InAs оказалась сильной и сложной. В модели непараболических зон из-за роста массы электрона по энергии число энергетических уровней в яме увеличилось, а зависимости En(b) заметно подавлены. Анализируются природа и причины этих закономерностей.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":" January","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2024-01-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"«Узбекский физический журнал»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.52304/.v25i4.474","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

В работе представлены результаты изучения природы энергетических уровней электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs, содержащих тонкий нанослой InAs. Численными и аналитическими методами проанализированы зависимости этих энергетических уровней от толщины слоя InAs En(b). В модели бесконечно глубокой ямы получена аналитическая формула зависимости En(b). Найденная в модели параболических зон зависимость энергетических уровней от толщины b нанослоя InAs оказалась сильной и сложной. В модели непараболических зон из-за роста массы электрона по энергии число энергетических уровней в яме увеличилось, а зависимости En(b) заметно подавлены. Анализируются природа и причины этих закономерностей.

查看原文本刊更多论文

InAs 薄层对 AlAs/InxGa1-xAs/AlAs 异质结构量子阱中电子能量的影响

本文介绍了对含有薄 InAs 纳米层的 AlAs/InxGa1-xAs/AlAs 异质结构量子阱中电子能级性质的研究结果。这些能级与 InAs 层 En(b) 厚度的关系已通过数值和分析方法进行了分析。在无限深孔模型中获得了 En(b) 相关性的解析公式。在抛物线区模型中发现，能级对 InAs 纳米层厚度 b 的依赖性既强又复杂。在非抛物面区模型中，由于电子质量随能量的增长而增长，凹坑中的能级数量增加，En(b)依赖性明显受到抑制。分析了这些模式的性质和原因。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

«Узбекский физический журнал»

自引率

0.00%

发文量