ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОНОЛИТНЫХ СВЧ-УСИЛИТЕЛЕЙ F-КЛАССА

ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS Pub Date : 2023-11-10 DOI:10.22184/1992-4178.2023.230.9.118.127

К. Дудинов, Н. Заднепряная

引用次数: 0

Abstract

Рассматривается подход к проектированию монолитных СВЧ-усилителей F -класса в Х-диапазоне на основе технологического процесса PHEMT на GaAs с нормой 0,25 мкм.

查看原文本刊更多论文

单片 F 级微波放大器的设计

本文讨论了基于砷化镓 0.25 μm PHEMT 工艺的 F 级 X 波段单片微波放大器的设计方法。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS

自引率

0.00%

发文量