ИССЛЕДОВАНИЕ МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕДИ И ОЛОВА

Электроника: наука, технология, бизнес Pub Date : 2023-09-01 DOI:10.22184/1992-4178.2023.228.7.184.190

Д. Пермяков, А. Строгонов

{"title":"ИССЛЕДОВАНИЕ МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕДИ И ОЛОВА","authors":"Д. Пермяков, А. Строгонов","doi":"10.22184/1992-4178.2023.228.7.184.190","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Мемристоры рассматриваются сегодня как перспективные элементы для применения в энергонезависимой памяти и других изделиях микроэлектроники. Исследования в области синтеза мемристорных структур направлены на повышение надежности хранения данных и улучшение других характеристик, таких как увеличение количества циклов перезаписи и скорости переключения. В статье описан способ формирования мемристорной структуры методом спрей-пиролиза оксида олова и электрохимического осаждения оксида меди. Обсуждаются результаты измерения электрических характеристик полученного мемристора, проанализированы факторы, влияющие на воспроизводимость его свойств.","PeriodicalId":471437,"journal":{"name":"Электроника: наука, технология, бизнес","volume":"6 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-09-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Электроника: наука, технология, бизнес","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.228.7.184.190","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Мемристоры рассматриваются сегодня как перспективные элементы для применения в энергонезависимой памяти и других изделиях микроэлектроники. Исследования в области синтеза мемристорных структур направлены на повышение надежности хранения данных и улучшение других характеристик, таких как увеличение количества циклов перезаписи и скорости переключения. В статье описан способ формирования мемристорной структуры методом спрей-пиролиза оксида олова и электрохимического осаждения оксида меди. Обсуждаются результаты измерения электрических характеристик полученного мемристора, проанализированы факторы, влияющие на воспроизводимость его свойств.

查看原文本刊更多论文

研究基于铜和锡氧化物的忆阻器结构

如今，细胞核被认为是在能源独立内存和其他微电子产品中应用的潜在元素。对细胞核结构合成的研究旨在提高数据存储的可靠性，并改善其他特性，例如增加转录周期和切换速度。这篇文章描述了用氧化锡喷雾和电化学氧化铜沉积形成细胞质结构的方法。正在讨论memrister的电子性能测量结果，分析了影响其性能的因素。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊