Determination of the sensitive volume and critical charge for induction of SEU in nanometer SRAMs

Journal of Space Science and Technology Pub Date : 2023-05-22 DOI:10.30699/jsst.2023.1423

Gholamreza Raisali, Masume Soleimaninia, Amir Moslehi

{"title":"Determination of the sensitive volume and critical charge for induction of SEU in nanometer SRAMs","authors":"Gholamreza Raisali, Masume Soleimaninia, Amir Moslehi","doi":"10.30699/jsst.2023.1423","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"در این پژوهش، حجم حساس و بار بحرانی یک حافظه SRAM با تکنولوژی 65 نانومتری CMOS، به عنوان دو کمیت مهم در محاسبات ترابرد پرتو در رخداد به‌هم‌ریختگی‌ تک‌حادثه‌ای (SEU) که رایج‌ترین رخداد در تحقیقات فضایی محسوب می‌شود، تعیین شد. بدین منظور، ابتدا یک سلول حافظه متشکل از ترانزیستورهای NMOS و PMOS با استفاده از نرم‌افزار Silvaco TCAD شبیه‌سازی شد. برای تعیین دو کمیت مذکور، پرتو با مقادیر مختلف از انتقال خطی انرژی (LET) به نواحی گوناگون ترانزیستورها تابانده شد و ولتاژ خروجی مورد بررسی قرار گرفت. بار بحرانی به عنوان کمترین بار لازم برای تغییر وضعیت منطقی سلول، با انتگرال‌گیری از جریان درین در لحظه تغییر وضعیت ولتاژ خروجی حاصل شد. برای تعیین حجم حساس نیز کمینه LET که در هر نقطه منجر به تغییر در وضعیت منطقی خروجی‌ها می‌شود، معیاری از حساسیت در نظر گرفته شد. نتایج ضمن تطابق با مراجع، مقادیر حجم حساس و بار بحرانی را به ترتیب µm3 054/0 و fC 48/1 نشان دادند.","PeriodicalId":272394,"journal":{"name":"Journal of Space Science and Technology","volume":"199 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-05-22","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Journal of Space Science and Technology","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.30699/jsst.2023.1423","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

در این پژوهش، حجم حساس و بار بحرانی یک حافظه SRAM با تکنولوژی 65 نانومتری CMOS، به عنوان دو کمیت مهم در محاسبات ترابرد پرتو در رخداد به‌هم‌ریختگی‌ تک‌حادثه‌ای (SEU) که رایج‌ترین رخداد در تحقیقات فضایی محسوب می‌شود، تعیین شد. بدین منظور، ابتدا یک سلول حافظه متشکل از ترانزیستورهای NMOS و PMOS با استفاده از نرم‌افزار Silvaco TCAD شبیه‌سازی شد. برای تعیین دو کمیت مذکور، پرتو با مقادیر مختلف از انتقال خطی انرژی (LET) به نواحی گوناگون ترانزیستورها تابانده شد و ولتاژ خروجی مورد بررسی قرار گرفت. بار بحرانی به عنوان کمترین بار لازم برای تغییر وضعیت منطقی سلول، با انتگرال‌گیری از جریان درین در لحظه تغییر وضعیت ولتاژ خروجی حاصل شد. برای تعیین حجم حساس نیز کمینه LET که در هر نقطه منجر به تغییر در وضعیت منطقی خروجی‌ها می‌شود، معیاری از حساسیت در نظر گرفته شد. نتایج ضمن تطابق با مراجع، مقادیر حجم حساس و بار بحرانی را به ترتیب µm3 054/0 و fC 48/1 نشان دادند.

查看原文本刊更多论文

纳米sram中诱导SEU的敏感体积和临界电荷的测定

در این پژوهش، حجم حساس و بار بحرانی یک حافظه Sram با تکنولوژی 65 نانومتری cmos، به عنوان دو کمیت مهم در محاسبات ترابردپرتو در رخداد بههمریختگی تکحادثهای (seu) که رایجترین رخداد در تحقیقات فضای محسوب میشود، تعین ش.بدین منظور، ابتدا یک سلول حافظه متشکل از ترانزیستورهای NMOS و PMOS با استفاده از نرمافزار Silvaco TCAD شبیهسازی شد.برای تعین دو کمیت مذکور، پرتو با مقادیر مختلف از انتقال خطی انرژی (let) به نواحی گوناگون ترانزیستورها تابانده شد و ولتاژ خروجی مورد برسی قرار گرفت.بار بحرانی به عنوان کمترین بار لازم برای تغیر وضعیت منطقی سلول، با انتگرالگیری از جریان درین در لحظه تغیر وضعیت ولتاژ خروجی حاصل شد.برای تعین حجم حساس نیزک مینه let هک در هر نقطه منجر به تغیر در وضعیت منطقی خروجیها میشود، معیاری از حساسیت در نظر گرفته شد.نتایج ضمن تطابق با مراجع، مقادیر حجم حساس و بار بحرانی را به ترتیب µm3 054/0 و fC 48/1 نشان دادند.

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Journal of Space Science and Technology

自引率

0.00%

发文量