Особенности структур p-por-Si/p-c-Si и механизм токопереноса

Uzbek journal of physics Pub Date : 2023-10-07 DOI:10.52304/.v25i3.448

У.С. Бобохўжаев, М.А. Усманов

{"title":"Особенности структур p-por-Si/p-c-Si и механизм токопереноса","authors":"У.С. Бобохўжаев, М.А. Усманов","doi":"10.52304/.v25i3.448","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Как известно, если por-Si осаждается на подложку из кристаллического кремния p-типа, в por-Si образуются глубокие уровни и поверхностные состояния. Это приводит к сдвигу уровня Ферми (EF) в сторону зоны проводимости, за счет сдвига возникает потенциальный барьер между слоями por-Si и с-Si. Кроме того, вследствие увеличения концентрации глубоких уровней в por-Si уменьшается концентрация дырок и между слоями por-Si и с-Si образуется p-p+ переход. Из-за разной концентрации дырок с обеих сторон перехода возникает диффузионный ток. На основе диффузионной теории нами получено аналитическое выражение температурной зависимости диффузионного тока.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"52 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Uzbek journal of physics","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.448","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Как известно, если por-Si осаждается на подложку из кристаллического кремния p-типа, в por-Si образуются глубокие уровни и поверхностные состояния. Это приводит к сдвигу уровня Ферми (EF) в сторону зоны проводимости, за счет сдвига возникает потенциальный барьер между слоями por-Si и с-Si. Кроме того, вследствие увеличения концентрации глубоких уровней в por-Si уменьшается концентрация дырок и между слоями por-Si и с-Si образуется p-p+ переход. Из-за разной концентрации дырок с обеих сторон перехода возникает диффузионный ток. На основе диффузионной теории нами получено аналитическое выражение температурной зависимости диффузионного тока.

查看原文本刊更多论文

对硼硅/对铜硅结构的特点和电流传输机制

如你所知，如果por-Si被p型晶体硅包围，那么por-Si就会形成深层和表面状态。这导致费米电导率(EF)向导电性区移动，导致por-Si层和c -Si层之间存在潜在障碍。此外，由于深度浓度的增加，por-Si的洞浓度降低，por-Si层和c -Si层之间形成p-p+跃迁。桥两侧不同浓度的洞会产生扩散电流。在扩散理论的基础上，我们得到了对扩散电流温度依赖的分析表达。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Uzbek journal of physics

自引率

0.00%

发文量