A 6-Bit, 1.2-GS/s ADC with wideband THA in 0.13-μm CMOS

2008 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference Pub Date : 2008-12-12 DOI:10.1109/ASSCC.2008.4708807

B. Chen, Szukang Hsien, C. Chiang, K. Juang

引用次数: 16

Abstract

This paper presents a 6-bit, 1.2-GSample/s flash ADC with new proposed wideband track-and-hold amplifier (THA) fabricated in TSMC 0.13-mum CMOS technology. The wideband THA employs a front-end super source follower (SSF), which has a very low input capacitance of only 0.2-pf, to boost analog bandwidth without any on-chip passive inductor. Moreover, the flatness of the data bandwidth of ADC will improve. The SSF can also relax the power consumption of the voltage buffer in the THA.

查看原文本刊更多论文

基于0.13 μm CMOS的6位、1.2 gs /s宽带THA ADC

本文提出了一种6位、1.2 gsample /s的闪存ADC，该ADC采用新提出的宽带跟踪保持放大器(THA)，采用TSMC 0.13-mum CMOS技术制造。宽带THA采用前端超级源跟随器(SSF)，其输入电容非常低，仅为0.2 pf，无需任何片上无源电感即可提高模拟带宽。此外，ADC数据带宽的平整度将得到提高。SSF还可以降低THA中电压缓冲器的功耗。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

2008 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference

自引率

0.00%

发文量