Heteroepitaxy of InP on Si: variation of electron concentration and mobility with depth

International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Pub Date : 1990-04-23 DOI:10.1109/ICIPRM.1990.203002

T. Crumbaker, M. Hafich, G. Y. Robinson, A. Davis, J. P. Lorenzo

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Abstract

The electrical properties of InP single crystal films grown by gas-source MBE on Si

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InP在Si上的异质外延:电子浓度和迁移率随深度的变化

气源MBE在Si上生长InP单晶薄膜的电学性能

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