Heterostructure PIN Rectifier Diode For Power Applications

2005 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits Pub Date : 2005-12-19 DOI:10.1109/EDSSC.2005.1635400

B. Mazhari, M. Sinha, J. Dixit

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Abstract

We propose use of heterostructures in PIN rectifiler diodes for obtaining faster switching speed. It is shown that by employing a small bandgap material in the heavily doped P layer and a wide bandgap material in the intrinsic region, reverse recovery time can be significantly lowered without compromising either the breakdown or the forward ON voltage.

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2005 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits

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