A small GSM power amplifier module using Si-LDMOS driver MMIC

2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519) Pub Date : 2004-09-13 DOI:10.1109/ISSCC.2004.1332661

T. Shimizu, Y. Nunogawa, T. Furuya, S. Yamada, I. Yoshida, H. Masao

引用次数: 15

Abstract

A small quad-band Si-MOS high power amplifier module with a package size of 8x8 mm/sup 2/ includes a driver MMIC in an LDMOS process and provides a built-in power control loop employing a current sense method. The IC achieves 53% power efficiency at 35dBm output power over the 824 to 915MHz GSM band using a 3.6V supply.

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一种小型GSM功率放大器模块，采用Si-LDMOS驱动MMIC

封装尺寸为8x8mm /sup 2/的小型四带Si-MOS高功率放大器模块包括LDMOS工艺中的驱动器MMIC，并提供采用电流检测方法的内置功率控制环路。该IC在824至915MHz GSM频段使用3.6V电源，在35dBm输出功率下实现53%的功率效率。

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2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519)

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