HfO2Nano-thin Films Grown by Laser MBE for Gate Dielectric Application

2006 IEEE Conference on Emerging Technologies - Nanoelectronics Pub Date : 2006-03-27 DOI:10.1109/NANOEL.2006.1609728

Y.K. Lu, W. Zhu, Y. Zhang, H. Lu, R. Gopalkrishnan

引用次数: 3

Abstract

High-k hafnium oxide thin films with equivalent of thickness (EOT) to SiO2of about 1 – 2 nm were deposited on p-type

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激光MBE生长用于栅极介质的hfo2纳米薄膜

在p型表面沉积了厚度约为1 ~ 2 nm的高钾氧化铪薄膜

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