High Performance Quantum-Dot Lasers on Silicon - Challenges and Future Prospects

3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, 2006. Pub Date : 2006-10-09 DOI:10.1109/GROUP4.2006.1708214

P. Bhattacharya, Z. Mi, J. Yang

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Abstract

We report the growth and characteristics of high performance self-organized InGaAs/GaAs quantum dot lasers on silicon. The devices exhibit low threshold current (J_th~900 A/cm²), high output power (~150 mW), and large characteristic temperature (T₀=244 K)

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3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, 2006.

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