Design of high speed GaInAs/InP p-i-n photodetectors

International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Pub Date : 1990-04-23 DOI:10.1109/ICIPRM.1990.203049

Y. Wey, D. L. Crawford, J. Bowers, M. Hafich, G. Y. Robinson, F. Storz

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Abstract

The material and design constraints for high speed InGaAs/InP p-i-n photodetectors and the operation of such devices are discussed. The photodetector wafer was grown on

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