K-Band Power GaAs FETS

1981 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest Pub Date : 1981-06-15 DOI:10.1109/MWSYM.1981.1129809

L. Rosenheck, D. Herstein, I. Drukier

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Abstract

This paper will report on the structure and performance of GaAs FETs developed for K-band applications. A power output of 27dBm was obtained with 5dB gain at 21GHz. A novel low loss waveguide to microstrip transition was used in the measurement. Its design will be described.

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k波段功率GaAs fet

本文将报告用于k波段应用的GaAs场效应管的结构和性能。在21GHz下，增益为5dB，输出功率为27dBm。在测量中采用了一种新型的低损耗波导-微带转换。它的设计将被描述。

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1981 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

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