Physical characterization of HfO/sub 2/ deposited on Ge substrates by MOCVD

International Semiconductor Device Research Symposium, 2003 Pub Date : 2003-12-10 DOI:10.1109/ISDRS.2003.1271981

S. Van Elshocht, B. Brijs, M. Caymax, T. Conard, S. De Gendt, S. Kubicek, M. Meuris, B. Onsia, O. Richard, I. Teerlinck, J. Van Steenbergen, C. Zhao, M. Heyns

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Abstract

In this paper, we study the growth properties of HfO/sub 2/ on Ge by MOCVD, using TDEAH and O/sub 2/ precursors and compare the results to similar layers deposited on silicon substrates. Analysis techniques include ellipsometry, Rutherford Backscattering Spectra (RBS), transmission electron microscopy (TEM),X-ray diffraction (XRD), and time of flight secondary ion mass spectroscopy (TOFSIMS).

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通过 MOCVD 在 Ge 基底上沉积的 HfO/sub 2/ 的物理特性

在本文中，我们使用 TDEAH 和 O/sub 2/ 前驱体，通过 MOCVD 技术研究了 HfO/sub 2/ 在 Ge 上的生长特性，并将结果与沉积在硅衬底上的类似层进行了比较。分析技术包括椭偏仪、卢瑟福背散射光谱 (RBS)、透射电子显微镜 (TEM)、X 射线衍射 (XRD) 和飞行时间二次离子质谱 (TOFSIMS)。

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International Semiconductor Device Research Symposium, 2003

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