Waveguide-Integrated Ge p-i-n Photodetectors on SOI Platform

3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, 2006. Pub Date : 2006-10-09 DOI:10.1109/GROUP4.2006.1708203

J. Liu, D. Pan, S. Jongthammanurak, D. Ahn, C. Hong, M. Beals, L. Kimerling, J. Michel, A. Pomerene, C. Hill, M. Jaso, K. Tu, Y. Chen, S. Patel, M. Rasras, A. White, D. Gill

引用次数: 18

Abstract

We demonstrate a fully CMOS processed Ge p-i-n photodetector integrated with a Si waveguide on a SOI platform with a high responsivity of 1.0 A/W at lambda=1520 nm, and a 3 dB bandwidth of >4.5 GHz measured at lambda=1550 nm

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3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, 2006.

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