МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ В СТРУКТУРЕ С ЭФФЕКТОМ ПАМЯТИ С ПОРИСТЫМ LOWK-ДИЭЛЕКТРИКОМ В КАЧЕСТВЕ БУФЕРНОГО СЛОЯ

Abstract

В работе приведен анализ возможности использования пористого low-k-диэлектрика в качестве буферного слоя в структурах с эффектом памяти. Рассмотрена физика работы мемристора с кобальтитом лития в качестве основного переключающего слоя.