Sub-ns Dynamics of nc-Si QDs in SiNx Matrix Grown by PECVD

3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, 2006. Pub Date : 2006-10-09 DOI:10.1109/GROUP4.2006.1708182

Jae‐heon Shin, K. Cho, C. Huh, K.H. Kim, J. Hong, G. Sung, Y.D. Chang, D.H. Lee, Y. Cho

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Abstract

Time-resolved PL characteristic of the nc-Si QDs in SiNx matrix grown by PECVD is studied. The measured PL lifetime of nc-Si QDs is about 0.43 ns

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