{"title":"Рост ультратонкой популяции коллоидных нанолистов CdSe с УФ люминесценцией","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-109","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Двумерные (2D) полупроводники обладают уникальными электронными и оптическими\nсвойствами, возникающими из-за атомно-тонкой толщины и двумерной электронной структуры.\nИзменяя размер таких частиц, можно контролировать длину волны люминесценции и поглощения,\nчто представляет не только фундаментальный, но и практический интерес. Среди возможных сфер\nприменения можно выделить солнечные элементы, катализ, оптоэлектронику и т.п. В настоящей\nработе мы впервые вырастили и изучили структуру и свойства атомно-тонких нанолистов CdSe со\nспектральным положением экситонных полос 396 нм. Данные квазидвумерные наночастицы\nинтересны благодаря чрезвычайно узким полосам поглощения и люминесценции и иначе называются\nколлоидными квантовыми ямами (quantum wells) [1,2].\nВ рамках данной работы впервые были разработаны условия\nпрепаративного синтеза квазидвумерных наночастиц CdSe в\nсистеме октадецен – ацетат кадмия – олеиновая кислота в\nатмосфере аргона при температурах роста 110-160 с\nиспользованием триоктилфосфинселенида в качестве\nпрекурсора селена. Получены квазидвумерные наночастицы\nCdSe с длиной волны первого экситонного максимума 396 нм.\nТемпературная зависимость роста была проанализирована с\nиспользованием спекторскопии поглощения. Путем\nтщательного подбора условий синтеза удалось избавиться от\nпримесной популяции с длиной волны первого экситонного\nмаксимума 463 нм. Была предложена методика\nпоследовательного увеличения латеральных размеров\nнанолистов с прецизионным сохранением толщины. Были\nполучены нанолисты с латеральным размером до 1 мкм со\nстрого фиксированной толщиной 2 монослоя. По данным\nэлектронной микроскопии была установлена морфология\nполученных наночастиц, которые представляют собой многократно свернутые прямоугольные листы,\nа так же был рассчитан их приблизительный латеральный размер, который составил 150 нм для\nодностадийного синтеза и до 1 мкм для многостадийного. Исходя из данных рентгеновской\nдифракции, был сделан вывод, что полученные наночастицы обладают структурой цинковой обманки\nс тетрагональным искажением. Проанализированы оптические свойства синтезированных\nнаночастиц, показавшие наличие узких экситонных полос поглощения и люминесценции с длиной\nволны 396 нм и шириной порядка 10 нм.\nТаким образом в настоящей работе были достигнуты цели по разработке условий препаративного\nсинтеза квазидвумерных наночастиц на основе CdSe и изучению уникальных свойств полученных\nобразцов, которые, благодаря своим узким полосам люминесценции и высокой чистоте света, могут\nнайти широкое применение в оптоэлектронике.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-109","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Двумерные (2D) полупроводники обладают уникальными электронными и оптическими
свойствами, возникающими из-за атомно-тонкой толщины и двумерной электронной структуры.
Изменяя размер таких частиц, можно контролировать длину волны люминесценции и поглощения,
что представляет не только фундаментальный, но и практический интерес. Среди возможных сфер
применения можно выделить солнечные элементы, катализ, оптоэлектронику и т.п. В настоящей
работе мы впервые вырастили и изучили структуру и свойства атомно-тонких нанолистов CdSe со
спектральным положением экситонных полос 396 нм. Данные квазидвумерные наночастицы
интересны благодаря чрезвычайно узким полосам поглощения и люминесценции и иначе называются
коллоидными квантовыми ямами (quantum wells) [1,2].
В рамках данной работы впервые были разработаны условия
препаративного синтеза квазидвумерных наночастиц CdSe в
системе октадецен – ацетат кадмия – олеиновая кислота в
атмосфере аргона при температурах роста 110-160 с
использованием триоктилфосфинселенида в качестве
прекурсора селена. Получены квазидвумерные наночастицы
CdSe с длиной волны первого экситонного максимума 396 нм.
Температурная зависимость роста была проанализирована с
использованием спекторскопии поглощения. Путем
тщательного подбора условий синтеза удалось избавиться от
примесной популяции с длиной волны первого экситонного
максимума 463 нм. Была предложена методика
последовательного увеличения латеральных размеров
нанолистов с прецизионным сохранением толщины. Были
получены нанолисты с латеральным размером до 1 мкм со
строго фиксированной толщиной 2 монослоя. По данным
электронной микроскопии была установлена морфология
полученных наночастиц, которые представляют собой многократно свернутые прямоугольные листы,
а так же был рассчитан их приблизительный латеральный размер, который составил 150 нм для
одностадийного синтеза и до 1 мкм для многостадийного. Исходя из данных рентгеновской
дифракции, был сделан вывод, что полученные наночастицы обладают структурой цинковой обманки
с тетрагональным искажением. Проанализированы оптические свойства синтезированных
наночастиц, показавшие наличие узких экситонных полос поглощения и люминесценции с длиной
волны 396 нм и шириной порядка 10 нм.
Таким образом в настоящей работе были достигнуты цели по разработке условий препаративного
синтеза квазидвумерных наночастиц на основе CdSe и изучению уникальных свойств полученных
образцов, которые, благодаря своим узким полосам люминесценции и высокой чистоте света, могут
найти широкое применение в оптоэлектронике.