A Dual-Gate FET Constant Phase Variable Power Amplifier

1985 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest Pub Date : 1985-06-04 DOI:10.1109/MWSYM.1985.1131945

D. Drury, D. Zimmerman, D. E. Zimmerman

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Abstract

A 1-Watt X-band variable power amplifier is described which employs an 1800 µm GaAs dual-gate FET. Small-signal models of the device are presented and used to design for minimum insertion phase change over the gain control range. The amplifier has a power-added efficiency of 25 percent and its insertion phase varies less than 15 degrees over a 15 dB gain control range.

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1985 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

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