Etching of vias in SiO/sub 2/ with controllable sidewall angles

IEEE 1989 International Conference on Plasma Science Pub Date : 1989-05-22 DOI:10.1109/PLASMA.1989.166269

R. Carlile, J. L. Houghten

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Abstract

A technique in which the sidewall angle of a via is controlled by the components of the chemistry is reported. The wafer is

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可控侧壁角SiO/ sub2 /中过孔的刻蚀

本文报道了一种由化学成分控制通孔侧壁角的技术。晶圆片是

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