Non-Volatile Indium Tin Oxide Electro-Optic Switch

2019 IEEE 16th International Conference on Group IV Photonics (GFP) Pub Date : 2019-08-01 DOI:10.1109/GROUP4.2019.8925782

J. Parra, I. Olivares, A. Brimont, P. Sanchis

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Abstract

A 9.9-μm-long non-volatile silicon electro-optic switch is proposed based on the utilization of indium tin oxide (ITO) as a floating gate and by exploiting the ITO epsilon-near-zero (ENZ) regime in the telecom C-band.

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