Advanced self aligned SOI concepts for vertical MOS transistors with ultrashort channel lengths

27th European Solid-State Device Research Conference Pub Date : 1997-09-22 DOI:10.1109/ESSDERC.1997.194507

T. Aeugle, L. Risch, W. Rosner, T. Schulz, D. Behammer

引用次数: 5

Abstract

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具有超短通道长度的垂直MOS晶体管的先进自对准SOI概念

必须证明prtJ'Qu,r:tiG,n - SOl可以解决似乎很tnt. we, will !移动通信是一种应用程序

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