Evaluation of power MOSFET models

Proceedings of NORTHCON '94 Pub Date : 1994-10-11 DOI:10.1109/NORTHC.1994.638967

I. Budihardjo, P. Lauritzen

引用次数: 3

Abstract

The device models are used in simulation of power converter circuits to enable accurate simulation of switching waveforms. Two selected power MOSFET models are thoroughly evaluated through C-V plots, gate charge plots, and converter data. Any proprietary model can be evaluated using three simple simulations.

查看原文本刊更多论文

功率MOSFET模型的评估

该器件模型可用于功率变换器电路的仿真，以实现开关波形的精确仿真。通过C-V图、栅极电荷图和转换器数据全面评估了两种选定的功率MOSFET模型。任何专有模型都可以通过三个简单的模拟来评估。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Proceedings of NORTHCON '94

自引率

0.00%

发文量