High speed resonant cavity enhanced Ge photodetectors on Si reflecting substrates for 1550 nm operation

2004 IEEE International Topical Meeting on Microwave Photonics (IEEE Cat. No.04EX859) Pub Date : 2004-10-04 DOI:10.1109/MWP.2004.1396892

O. Dosunmu, M. Emsley, M. Unlu, D. D. Cannon, L. Kimerling

引用次数: 2

Abstract

We have fabricated high-speed resonant-cavity-enhanced Ge-on-SOI photodetectors, operating at 1550 nm and demonstrating a 3 dB bandwidth of 12.8 GHz. When optimized, these high-speed detectors should exhibit a quantum efficiency of 75% at 1550 nm.

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2004 IEEE International Topical Meeting on Microwave Photonics (IEEE Cat. No.04EX859)

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